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可控硅模塊的主要參數(shù)詳解
發(fā)布時(shí)間:2023-05-23      點(diǎn)擊次數(shù):1787

可控硅模塊在控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用,它能夠起到對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整與變換的作用,在工業(yè)、通訊、軍工等場(chǎng)合作用大,但是,在實(shí)際應(yīng)用中,仍然有人對(duì)可控硅模塊不是特別了解,今天,小編就可控硅模塊的主要參數(shù)進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹介紹。

可控硅模塊的主要參數(shù):

(1) 額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。

(2) 反向陰斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。

(3) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào),陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓??煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?,不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。

(4) 維持電流IH在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導(dǎo)通所需的陽(yáng)極正向電流。

(5)控制極觸發(fā)電流Ig1 、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,陽(yáng)極--陰極間加有一定電壓時(shí),可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的控制極電流和電壓。

希望通過(guò)上述的介紹能夠增強(qiáng)大家對(duì)可控硅模塊的認(rèn)識(shí),如果想要了解更多可控硅模塊知識(shí),可持續(xù)關(guān)注本站內(nèi)容更新。


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