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不同情況下的可控硅負(fù)荷能力不同
發(fā)布時(shí)間:2023-05-26      點(diǎn)擊次數(shù):1875

可控硅,即可控硅模塊,也就是我們俗稱(chēng)的功率半導(dǎo)體模塊,目前在我國(guó)的電力電子技術(shù)領(lǐng)域發(fā)揮著重要的作用,獲得了廣泛的應(yīng)用于關(guān)注,當(dāng)然,可控硅模塊也有很多種類(lèi),不同種類(lèi)的可控硅模塊不僅特點(diǎn)不同,同時(shí),負(fù)荷能力也大有差距,尤其是在電壓不同的情況下差異很大。通常情況下來(lái)說(shuō),可控硅模塊的負(fù)荷能力與電壓大小有著直接關(guān)系,接下來(lái),小編就來(lái)給大家說(shuō)說(shuō)不同電壓下的可控硅模塊負(fù)荷能力。

1、在1.1倍額定電壓下,可控硅模塊能夠長(zhǎng)期運(yùn)行。

2、在1.15倍額定電壓下,能夠每24小時(shí)中運(yùn)行30分鐘。

3、在1.2倍額定電壓下每月中運(yùn)行2次,每次5分鐘。

4、在1.3倍額定電壓下每月中運(yùn)行2次,每次1分鐘。

5、值得了解的是可控硅模塊成套裝置在有效值為1.3倍額定電流下能夠連續(xù)運(yùn)行。

當(dāng)然,現(xiàn)在一些可控硅模塊能夠通過(guò)晶閘管過(guò)零和峰值投切,無(wú)需放電,投切速度較快,適用于各種場(chǎng)合的無(wú)功補(bǔ)償,所以,選擇合適的電壓即可。


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